同樣地,在半導體接面. 附近之能帶會向下彎曲,其彎曲幅度會比上圖要大些,且接面之本質能階(Ei)會. 比費米能階(EF)小. (a). (b). 圖2.16 nMOS 於反轉層(a)能帶圖(b)電荷分佈 ...
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