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淺溝槽隔離sti
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基于在浅沟槽隔离(STI)边缘局部引入的注入种类的场效应晶体管 ...
基于在浅沟槽隔离(STI)边缘局部引入的注入种类的场效应晶体管的漏电流控制专利登记公告,专利号为:CN201080043865.6,专利申请(专利权)人:格罗方德 ...
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「淺溝槽隔離sti」
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