而在BCD9世代之前,意法半導體於2011年左右發佈的是BCD8技術。它具有0,18μm CMOS閘極和4層化學機械研磨CMP的平面化鋁金屬,加上2層含矽化鈷的多晶矽,以及淺溝槽隔離STI。
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