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淺溝槽隔離sti
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https://patents.google.com/patent/CN1324673C/zh
CN1324673C - 形成浅沟槽隔离(sti)的方法及其结构 - Google ...
本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法以减少应力改善电子迁移,其中该方法包括:提供一半导体基底,具有至少一图案化硬掩模层于其上;利用该至少一图案化硬掩模层 ...
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「淺溝槽隔離sti」
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Shallow trench isolation
淺溝槽隔離層
sti淺溝槽絕緣
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