該溝槽典型地利用化學氣相沉積(CVD). 填充二氧化矽(SiOz)。過多的SiO2接著利用蝕刻或化學機械. 研磨(CMP)移除以形成場氧化物隔離,其通常被稱為淺溝槽. 隔離(STI)。
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