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3D IC關鍵設備技術發展趨勢

時，在晶圓的正面或背面對準並定義蝕刻遮罩層，若攜帶晶圓(Handling Wafer)與磨薄 ... 綜合以上各步驟製程解析，可以清楚的發現矽晶直通孔將趨向以高深寬比為主，且TSV.

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