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挑戰創意與物理極限-- 非揮發性記憶體的過去與未來 - 北美智權

因此，如果在控制閘極施加介於VT0與VT1之間的電壓VT，只要測試元件 ... 不管是快閃記憶體(flash memory)或是EEPROM，都是根據浮閘原理所衍生的產物。

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