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floating gate 原理flash產品測試總結 - Bosswu

... 層「氧化矽」厚度比較薄，存取資料的原理是以高電壓(通常大於10V)使電子由左方N型的源極「穿隧(Tunneling)」氧化矽儲存在「浮動閘極(FG：Floating Gate)」；再以高

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