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浮動閘極原理
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https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/173859
矽鍺量子點奈米級記憶元件及陣列之製作與研究
當單電子的電晶體,其以量子效應取代古典電荷的傳輸原理。在此,量子效應的穿隧將單一電子的量化電荷規則化。 目前記憶體元件之特性乃是利用將電子儲存於浮動閘極中, ...
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