你即將離開本站

並前往https://www.tsia.org.tw/api/DownloadNewsletter?ID=47

非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探

一般的非揮發性記憶. 體具備難於寫入的浮動邏輯門設計，例如，若要對. EEPROM進行寫入，在設計上必須將電子穿過晶體閘. 極，這需要使用大功率高電壓。並且EEPROM需要較. 長 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「浮動閘極原理」的人也找了：

  1. FN tunneling direct tunneling
    2.
  2. 福勒-諾德漢穿隧
    3.
  3. subthreshold swing定義
    4.
  4. fn tunneling公式
    5.
  5. Subthreshold swing
    6.
  6. Subthreshold swing formula
    7.
  7. Floating Gate replacement Gate
    8.
  8. 閘極 電容 公式
    9.