你即將離開本站

並前往http://etd.lib.nsysu.edu.tw/ETD-db/ETD-search-c/getfile?URN=etd-0630114-164308&filename=etd-0630114-164308.pdf

52+ 國立中山大學電機工程研究所碩士論文新式L 型通道之金氧 ...

而儲存在浮動閘極內的電荷會影響記憶體元件，導致臨限電壓. (Threshold Voltage, Vth)上升， ... 首先，在第二章中我們先從基本的MOS 元件操作原理，以及SONOS 非揮發.

確定！ 回上一頁

查詢 「浮動閘極原理」的人也找了：

  1. FN tunneling direct tunneling
    2.
  2. 福勒-諾德漢穿隧
    3.
  3. subthreshold swing定義
    4.
  4. fn tunneling公式
    5.
  5. Subthreshold swing
    6.
  6. Subthreshold swing formula
    7.
  7. Floating Gate replacement Gate
    8.
  8. 閘極 電容 公式
    9.