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銥奈米晶粒與非對稱穿隧能障結構輔助於薄膜電晶體式非揮發 ...

自從施敏等人於1967 年在貝爾實驗室發明了第一個浮動閘極非揮發性記憶體. （Floating Gate NVM），在過去的40 年各類非揮發性記憶體和製程技術得到了迅速.

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