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最大限度地提高SiC MOSFET性能-EDN 电子技术设计

在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。 ... 例如，超过额定栅极电压的持续栅极过冲会损坏栅极氧化层并限制器件的使用寿命 ...

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