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CGD開發GaN高能效功率裝置協助打造環保電子產品 - CTIMES

最先進的GaN HEMT 能夠承受25V 左右的電壓，這在轉換器等應用裝置裡可能是在柵極電壓過衝的範圍內，而造成裝置故障。在出現ICeGaN 之前，只有最先進的碳化 ...

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