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氮化鎵的發展趨勢及應用 - DigiTimes

eGaN FET在500 W輸出功率時的溫度為91°C或更低。 氮化鎵元件可以改善其他應用包括提高MRI成像系統的解像度、使得D類音頻放大器的成本更低而同時音質可以 ...

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