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1.1.1 氮化鎵材料簡介

(3) 表面淨化：溫控區第I、II、III區溫度由室溫調整至氮化處理所需溫度，並同時. 將載流氣體N2從切換成H2，升溫過程約30分鐘，以去除基板表面的氧化物。 (4) 氮化處理： ...

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