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矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體磊晶技術 - 未來科技館

本實驗室研究有機金屬化學蒸氣沉積法(MOCVD)成長氮化鎵異質結構多年，可精準控制包括成長溫度、成長壓力、氣體流量、載氣種類、前驅物種類、磊晶結構之組成與厚度，已 ...

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