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CN1313654C - 生长高阻氮化镓外延膜的方法 - Google Patents

一种生长高阻氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；采用金属有机物化学气相沉积生长法，在衬底的晶面上生长一层低温氮化镓成核层；将衬底温度升 ...

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