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用於GaN HEMT的超快速分離式短路保護- 電子技術設計

氮化鎵 高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)的工作頻率非常高，保護電路必須矽基金屬氧化物半導體場效電晶體(Silicon-based MOSFET)中使用的傳統短路和過流 ...

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