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高介電係數二氧化鋯/氮化鈦金屬閘極堆疊之研究| NTU Scholars

此外，近年來，氮化鈦(titanium nitride)被提出可以作為金屬氧化物半導體(Metal Oxide Semiconductor, MOS)元件的金屬閘極(metal gate)。因此，本研究進一步探討在此二 ...

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