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《華林科納-半導體工藝》溫度對氮化物和氧化物蝕刻速率的影響

該溶液用於蝕刻二氧化矽或氮化矽的薄膜，特別是在微量加工過程中,所使用的BOE是49%氫氟酸(HF)溶液和40%氟化銨(NH4F)溶液的混合物，成分為1：6, ...

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