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氮化矽蝕刻
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科研市集有限公司:2、4、6 Inch 英吋氮化矽片40nm-1um ...
2、4、6 Inch 英吋氮化矽片40nm-1um Si3N4 LPCVD 低應力鍍膜蝕刻用途:半導體光刻、納米壓印、CVD/分子末、MEMS、半導體器件等。
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