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在矽槽回填及化學機械研磨製程後，欲在淺溝槽內蝕刻二氧化矽，則須使用一道光罩流程以光阻覆蓋來保護主動區。本論文主要以調配蝕刻參數方式來提高對主動區上氮化矽蝕刻 ...

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