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Lab2 二氧化矽(SiO2)遮罩蝕刻

一般矽結構的非等向蝕刻以氮化矽(LPCVD SiNy)作為蝕刻遮罩，因氮化矽. 幾乎不會受到TMAH 與KOH 的蝕刻，但在遮罩圖形轉移方面需以反應式離子蝕刻(RIE). 為之，二氧化矽 ...

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