你即將離開本站

並前往http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/36038

Item 987654321/36038 - 海洋大學

在高密度電漿化學氣相沉積氧化矽蝕刻前，因下層為一長成氮化矽結構之薄膜,因此此蝕刻條件須具備有良好之選擇比（Selectivity）。本文將呈現此選擇比之條件 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「氮化矽蝕刻」的人也找了：

  1. 氮化矽蝕刻液
    2.
  2. 氮化矽乾蝕刻
    3.
  3. icp蝕刻原理
    4.
  4. 蝕刻製程ppt
    5.
  5. 濕蝕刻等向性
    6.
  6. 半導體 乾 蝕刻技術
    7.
  7. 等向性蝕刻英文
    8.
  8. 蝕刻終點 偵 測
    9.