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氮化矽蝕刻
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http://etd.lib.nsysu.edu.tw/ETD-db/ETD-search/getfile?URN=etd-0727106-144838&filename=etd-0727106-144838.pdf
微機電製程應用於薄膜體聲波元件之研究Fabrication of thin film ...
研究結果顯示,以低壓化學氣相沉積系統製備之1500 Å. 氮化矽薄膜具有最佳蝕刻遮罩效果,且搭配RIE 作兩階段蝕. 刻可得到最佳元件良率;AlN 壓電層的研究結果顯示,氮氣.
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