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RCA clean 製程 - 弘塑科技股份有限公司

氮化矽 層蝕刻(Silicon Nitride Etching), 一般多使用85%的磷酸(H3PO4)在160~170℃的高溫下，進行氮化矽(Si3N4)層的蝕刻，化學反應式如下：

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