半導體 金屬蝕刻製程主要使用Cl2(氯氣)、BCl3(氯化硼)、CF4(四氟. 化碳)、N2(氮氣)、Ar(氬氣)、He(氦氣),以高能電漿(plasma)離子化產生. 自由基(free radicals)後使其與晶 ...
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