你即將離開本站

並前往https://www.appliedmaterials.com/zh-hant/semiconductor/products/etch/info

蝕刻

蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域，以沉積其它材料。 「乾式」(電漿) 蝕刻是用於電路清晰度步驟，而「濕式」蝕刻(使用化學浴) 主要用於清潔晶圓。

確定！ 回上一頁

查詢 「氧電漿表面改質原理」的人也找了：

  1. o2 plasma原理
    2.
  2. 氧電漿pdms
    3.
  3. 氧電漿原理
    4.
  4. 氧電漿機
    5.
  5. plasma表面處理原理
    6.
  6. 氧 電漿 親水
    7.
  7. 表面改質方法
    8.
  8. 大氣電漿表面改質
    9.