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半導體製程設備技術 - 第 247 頁 - Google 圖書結果

增加氧 C2F4 C2F6 CF4 -200 -100 0 蝕刻區高分子區 1 2 3 4 0.5317 增加氫 Si 高 ... 蝕刻氣體的氟/碳比例氧氣與氫氣的影響(Effects of O2 and H2 ):於電漿氣氛中添加 ...

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