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氧電漿蝕刻
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https://books.google.com.tw/books?id=Z7xFCgAAQBAJ&pg=PA109&lpg=PA109&dq=%E6%B0%A7%E9%9B%BB%E6%BC%BF%E8%9D%95%E5%88%BB&source=bl&ots=W9Y7i-Nqus&sig=ACfU3U1Re-tBTxjo0al9MZGunUW0TAtJ3A&hl=zh-TW&sa=X&ved=2ahUKEwjeyr_O7sf3AhVKAqYKHfygBNsQ6AF6BQivAhAD
圖解光電半導體元件 - 第 109 頁 - Google 圖書結果
( a )乾式蝕刻去光阻藉由電漿放電,在無損基板表面的光阻下,直接針對光阻進行蝕刻,使得晶片上的光阻(為碳氫化合物)被氧電漿進行反應性蝕刻,產生 CO 、 CO 。
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