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高介電係數材料HfAlOx之三氯化硼電漿蝕刻製程之研究

本研究主要利用BCl3電漿，開發HfAlO（2：1）的電漿蝕刻製程，來改善蝕刻過後矽（Si）表面粗糙度以及對Si蝕刻選擇比的探討，實驗操作參數為控制電漿源功率、偏壓功率、 ...

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