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TWI506691B - 利用電漿增強氧化進行鈍化之矽蝕刻 - Google ...

為達到上述及遵照本發明的目的，在一實施例中，提供一種透過形成於其上之圖案化遮罩來蝕刻矽層的方法。矽層乃置於蝕刻腔室中。將含有含氟氣體及含氧及氫之氣體的蝕刻氣體 ...

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