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氧電漿蝕刻
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東海大學環境科學研究所碩士論文積體電路晶圓製造工業水資源 ...
將氧氣及適量的鈍氣或氮氣,通入經加熱的石英爐管(溫度. 約900 ℃),晶片表面的矽原子與氧產生氧化 ... 發展出的乾式蝕刻法,是一種介於濺擊蝕刻與電漿蝕刻之間的蝕.
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