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電漿蝕刻在VLSI製程之應用(一)

增加蝕刻氣體的氧分壓可控制高. 分子鈍化膜的量,但過多的氧氣亦會造成光阻. 損傷。這些互相影響的因素,使得電容耦合式. 電漿難以精確控制蝕刻品質。因此要同時達到.

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