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【台日專家】第四代半導體氧化鎵技術開發動向

此外，利用熔液成長法的原理，可以廉價而簡易地製作大口徑、高品質的單晶基板，在產業上具有巨大的魅力。由於這些特點，Ga2O3作爲繼SiC、GaN之後新一代功率元件的候選材料 ...

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