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氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展--經濟·科技

龍世兵課題組基於氧化鎵異質PN結的前期研究基礎，將異質結終端擴展結構成功應用於氧化鎵肖特基二極管。該研究通過合理設計優化JTE區域的電荷濃度，確保不 ...

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