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超寬能隙半導體材料-氧化鎵基板造技術與市場分析

β-氧化鎵(β-Ga2O3)晶型的功率電子品質因數(Baliga's figure of merit，BFOM=ɛμEc 3 )比Si高3,000倍以上，但氧化鎵的熱導率較低(對於功率電子元件的應用而言，其散熱特性 ...

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