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氧化鎵的晶體成長、特性及其元件應用(上) - 材料世界網

本文主要針對次世代功率半導體元件的應用，對氧化鎵之研究及開發作討論。氧化鎵的能隙值(Energy Gap)為4.7 ~ 4.9 eV，比能隙值為3.3 ~ 3.4 eV的碳化矽以及 ...

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