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第四代半導體氧化鎵為何值得期待？有何優勢與前景？ - 科技新報

2021年10月21日 — 儘管如此，被視為第四代之超寬能隙氧化鎵（Ga2O3）和鑽石等新一代材料，特別是Ga2O3 因其基板製作相較於SiC 與GaN 更容易，又因為其超寬能隙的特性，使 ...

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