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日本看好的氧化鎵材料，什麼來頭？ - 今天頭條

資料顯示，氧化鎵（Ga2O3）是一種新興的超寬頻隙（UWBG）半導體，擁有4.8eV的超大帶隙。作為對比，SiC和GaN的帶隙為3.3eV，而矽則 ... 行業的領先廠商.

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