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日本看好的氧化镓材料，什么来头？ - 粉体资讯

资料显示，氧化镓（Ga2O3）是一种新兴的超宽带隙（UWBG）半导体，拥有4.8eV的超大带隙。作为对比，SiC和GaN的带隙为3.3eV，而硅则 ... 行业的领先厂商.

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