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具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法[ I408732 ]
一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,製備一第一基板,接著,於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層,該氧化鎵犧牲層滿足GaOx,其中0.5≦x≦3.5, ...
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