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氧化鎵基板
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功率半導體:氧化鎵,4英寸晶圓量產! | Tokio X'press
通過熔融法生長塊狀單晶以有效地製造晶體基板。 晶體生長速度比SiC 半導體快100 倍。 由於基板易於製造,因此可顯著降低成本。 Novell 晶體技術:. 田村 ...
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