本公司推出的PECVD 是一部單腔制程的電漿輔助化學氣相沉積系統適用於200mm 晶圓製造以及Ⅲ-Ⅴ族晶圓制程,可沉積製造薄膜包括氮化矽SiNX和氮化矽氧化矽SiO2 碳化矽SiC ...
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