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自旋场效应晶体管及其制备方法、异质结的制备方法 - 掌桥专利

2)采用化学气相沉积方法，在衬底上外延生长不同组分、不同掺杂浓度的n型III族氮 ... 所述介质材料为MgO或TiO2或Al2O3或Ta2O5中的，厚度约0.8-2nm。

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