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氧化層厚度
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二氧化矽可由矽晶在氧化氣氛中加熱生成。依需要氧化氣氛可為氧氣或水蒸氣。而加熱溫度則在攝氏900一1000度間。加熱時間則由所需氧化層厚度決定。
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