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最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)

其中在ULSI 製程中，閘極氧化層(Gate Oxide)的厚度，已大幅下降，因此尚要考量洗淨後，晶. 圓表面的微粗糙度(Micro-roughness)，及俱生氧化物(Native Oxide)之清除，以 ...

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