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微電子材料與制程【第九章氧化，介電層】

在氧化的過程中，Si-SiO2 的介面會由矽表面移向內部。計算Si 與SiO2 的密度及對應的分子量，在氧化的過程中，形成SiO2厚度t，將消耗0.44t 的Si，見圖9-1。

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