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高性能鍺積體電路元件之閘極與通道工程

此外，通過在GeO2界面層(IL)上進行氫電漿(H*)處理，可以在p基底Ge (pGe)金氧半(MOS)元件中同時實現低等效氧化層厚度和低閘極漏電流密度。研究發現GeO2 IL中低氧化態 ...

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